Descripción
Marca: Samsung
Modelo: MZ-V9S4T0BW
Capacidad: – 4TB
Interfaz: – PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0
Tamaño: – M.2 (2280)
Rendimiento: – Lectura secuencial: hasta 7250 MB/s – Escritura secuencial: hasta 6300 MB/s – Lectura aleatoria (4KB, QD32): hasta 1.050.000 IOPS – Escritura aleatoria (4KB, QD32): hasta 1.400.000 IOPS
Características: – Memoria caché: HMB (búfer de memoria del host) – Soporte TRIM – Soporte S.M.A.R.T – GC(Garbage collection): Algoritmo de recolección automática de basura – SOPORTE DE CIFRADO Cifrado AES de 256 bits (Clase 0) TCG/Opal IEEE1667 (unidad cifrada) – Soporte WWN – Soporte del modo de suspensión del dispositivo Alimentación – Consumo medio de energía (Nivel de sistema): Promedio: Lectura 5,5 W / Escritura 4,8 W – Consumo de energía (inactivo): Típico 60 mW – Consumo de energía (reposo del dispositivo): 5 mW típico – Voltaje permitido: 3,3 V ± 5 % Tensión permitida – Confiabilidad (MTBF): Fiabilidad de 1,5 millones de horas (MTBF) – Temperatura de funcionamiento: 0 – 70 ºC Temperatura de funcionamiento – Choque: 1.500 G y 0,5 ms (medio seno) Dimensiones y peso – 80,15 x 22,15 x 2,38mm – Max. 9 g
Fecha de revisión: 17-10-2024 por RTY
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