Descripción
Marca: Samsung
Modelo: MZ-VAP8T0CW
Características: – Capacidad: 8 TB – Factor de forma: M.2 2280 – Interfaz: PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0 – Memoria NAND: Samsung V-NAND TLC – Controlador: Samsung (in-house) – Cache: Samsung 8 GB DDR4X de bajo consumo – Lectura secuencial: hasta 14.800 MB/s – Escritura secuencial: hasta 13.400 MB/s – Lectura aleatoria: hasta 2.200.000 IOPS – Escritura aleatoria: hasta 2.600.000 IOPS – Soporte TRIM – Soporte S.M.A.R.T – Cifrado: AES 256-bit, TCG Opal, IEEE1667 – Consumo medio: lectura 10,5 W / escritura 8,8 W – Consumo en reposo: 9,3 mW – Modo sleep del dispositivo – Temperatura de funcionamiento: 0 C a 70 C – Resistencia a impactos: 1.500 G, 0,5 ms – Software de gestion: Samsung Magician Dimensiones y peso – 81.28 x 22.86 x 11.17 mm – 30 g
Fecha de revisión: 02-02-2026 por IS






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